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    第三代半导体投资热,三安光电湖南半导体基地投产
      时间:2021-06-23 15:29 作 者:

  6月23日,总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目投产,将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链,可月产30000片6英寸碳化硅晶圆。这是国内LED芯片龙头三安光电(600703.SH)向第三代半导体领域扩张的重要一步。6月23日上午,三安光电股价上涨4.65%至32.87元/股。

  湖南项目主要建设具有自主知识产权,以碳化硅、氮化镓等为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地,位于长沙高新产业园区,规划用地面积约1000亩,2020年7月动工。在23日上午的点亮仪式上,三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯表示,湖南三安半导体的业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节。

  建成达产后,湖南三安半导体基地预计将实现年销售额120亿元。三安光电相关人士透露,湖南三安半导体基地设备已点亮,下一步进行工艺调试和流片。

  第三代半导体可以满足电力电子对高温、高功率、高压、高频的要求。湖南三安半导体基地通过大规模生产,以及自有碳化硅材料制备专利,产品将可广泛应用于通信、服务器电源、光伏、新能源汽车主驱逆变器、车载充电机和充电桩、智能电网、轨道交通等领域。

  目前碳化硅半导体仍处于发展初期,渗透率不高,会率先用在充电桩、服务器电源等领域。随着技术突破和成本下降,未来十年有望大范围用于工业及电动汽车领域。电动车市场将是碳化硅器件成长的主要驱动力,碳化硅功率器件市场预计以每年31%的复合增长率增长。 Cree 公司预计,碳化硅衬底及功率器件2024 年市场规模将分别达11亿美元、50 亿美元。

  近年国内掀起第三代半导体的投资热潮,台积电最近也在扩大氮化镓等第三代半导体业务。上述三安光电相关人士认为,虽然氮化镓、碳化硅都属于第三代半导体的范畴,但是氮化镓功率器件用于手机快充、数据中心电源等领域较多;碳化硅功率器件则更多用在新能源汽车与充电、5G通信基站、特高压电网、高铁与轨道交通、工业互联网、大数据中心,这些都是国家新基建重点发展的领域。

  集邦咨询研究副总经理王飞分析认为,湖南三安半导体主要侧重点是碳化硅垂直整合产业链,中国市场相关需求成长非常迅速,三安在相关领域有一定技术积累,与国际一线厂商的差距不像传统硅基半导体那么大,因此如果项目能够及时达产的话,可能有机会复制三安在LED芯片领域的模式。
 

(第一财经)





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